SK hynix начал массовое производство нового типа DRAM под названием HBM2E. Сегодняшняя информация появилась всего через 10 месяцев после официального объявления о разработке этого продукта. За это время производитель доработал технологию производства и улучшил выход, чтобы как можно больше костей могло достаться клиентам.
SK hynix является одним из крупнейших производителей памяти в мире, который имеет в своем ассортименте множество различных продуктов из этой категории, включая DDR5. Теперь к списку присоединились и уже официально чипы HBM2E, предназначенные в основном для высокопроизводительных вычислительных платформ. Это связано хотя бы с очень высокой передачей данных до 460 Гбит/с с использованием 1024 операций ввода-вывода и пропускной способностью 3,6 Гбит/с на контакт.
Таким образом, это самая быстрая память класса DRAM на рынке, способная передавать до 124 видео с разрешением FHD в секунду за секунду. HBM2E, однако, не только быстрые, но и более емкие – по сравнению с предшественниками емкость слоя увеличилась в два раза до 16 ГБ.
SK Hynix также может похвастаться тем, что его новые чипы имеют на 30 процентов меньшую площадь поверхности и потребляют на 50 процентов меньше электроэнергии по сравнению с используемыми в настоящее время решениями.